Atom ölçülü model qabaqcıl elektronika üçün materialın böyüməsini yaxşılaşdırmağa kömək edə bilər
phys.org 06.11.2026 18:20 9 baxış
Penn State tədqiqatçılarının silisium karbidin kristal böyümə zamanı bərk haldan buxar halına keçdiyi atom səviyyəsindəki modelini təkmilləşdirdiyi bildirildi, bu iş istehsalçılara daha yüksək keyfiyyətli material istehsal etməyə kömək edə bilər.